P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor The FDC634 is a P-channel MOSFET manufactured by ROHM Semiconductor. Below are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Type**: P-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -5.3A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 1.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 50mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1V to -3V  
- **Package**: SOP-8  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official ROHM datasheet.