N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor The FDC633N is a P-Channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (FAI). Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -4.3A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 1.4W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 85mΩ (max) at V_GS = -10V, I_D = -3.7A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1V to -3V  
- **Package**: SOT-23  

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FDC633N.