Integrated Load Switch The FDC6325L is a P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor (FET) manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor).  

### **Key Specifications:**  
- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor (ON Semiconductor)  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.4W  
- **R_DS(ON) (Max):** 0.1Ω @ V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.4V to -1.5V  
- **Package:** SOT-23  

This information is based on Fairchild's datasheet for the FDC6325L.

Integrated Load Switch The FDC6325L is a P-Channel Logic Level MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor).  

### **Key Specifications:**  
- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -22A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 50mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Package:** SOIC-8  

This MOSFET is designed for low-voltage switching applications.

Integrated Load Switch The part FDC6325L is manufactured by Fairchild Semiconductor (FSC). It is a P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor (FET). Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS)**: ±8V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -3.3A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 1.6W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 85mΩ at V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -0.4V to -1.5V  
- **Package Type**: SOT-23  

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FDC6325L.