Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench TM MOSFET The FDC6306P is a P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor (FET) manufactured by Fairchild Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -17A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(ON))**: 60mΩ at V_GS = -10V, 85mΩ at V_GS = -4.5V  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1V to -2V  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 13nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 580pF  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 180pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 60pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns  
- **Rise Time (t_r)**: 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 50ns  
- **Fall Time (t_f)**: 15ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-236 (SOT-23)  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FDC6306P.