Digital FET, Dual P-Channel The FDC6302P is a dual N-channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (FAI). Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 3.6A per channel  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 50mΩ (max) at V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 0.7V (min) to 1.5V (max)  
- **Package**: PowerDI® 3333 (8-pin)  

It is designed for low-voltage, high-efficiency switching applications.