P-Channel 2.5V PowerTrench Specified MOSFET The FDC602P is a P-channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor (FET) manufactured by Fairchild Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS)**: ±8V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -3.7A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 85mΩ @ V_GS = -4.5V, I_D = -3.7A  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th))**: -0.4V to -1.5V  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 10nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FDC602P.