Complementary PowerTrench MOSFET The FDC6020C is a P-channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -5.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -20A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2.5W  
- **R_DS(on) (Max)**: 50mΩ at V_GS = -10V, I_D = -4.3A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1V to -2V  
- **Package**: SOT-23 (3-pin)  

This MOSFET is designed for low-voltage, high-efficiency switching applications.

Complementary PowerTrench MOSFET The **FDC6020C** from Fairchild Semiconductor is a P-channel logic-level enhancement-mode MOSFET designed for high-efficiency power management applications. This compact and robust component is optimized for low-voltage operation, making it ideal for portable electronics, battery-powered devices, and load-switching circuits.  

With a drain-source voltage (V_DS) rating of -20V and a continuous drain current (I_D) of -4.3A, the FDC6020C delivers reliable performance in space-constrained designs. Its low on-resistance (R_DS(on)) ensures minimal power loss, enhancing overall system efficiency. The MOSFET also features a logic-level gate drive, allowing seamless integration with microcontrollers and low-voltage digital circuits.  

Housed in a compact SOT-23 package, the FDC6020C offers excellent thermal performance while maintaining a small footprint. Its fast switching characteristics make it suitable for high-frequency applications, including DC-DC converters and power distribution systems.  

Engineers favor the FDC6020C for its balance of performance, size, and cost-effectiveness. Whether used in consumer electronics, industrial controls, or automotive systems, this MOSFET provides a dependable solution for efficient power handling and switching.