200V N-Channel PowerTrench MOSFET The FDC2612 is a dual N-channel PowerTrench MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Here are the key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 6.3A per channel  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 25A per channel  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2W per channel (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 50mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 300pF (typical)  
- **Package**: SOIC-8  

The device is designed for high-efficiency power management applications.

200V N-Channel PowerTrench MOSFET The **FDC2612** from Fairchild Semiconductor is a high-performance, dual N-channel PowerTrench® MOSFET designed for efficient power management in a variety of applications. This component is optimized for low on-resistance (RDS(on)) and fast switching performance, making it ideal for power conversion, motor control, and load switching circuits.  

Built with advanced trench technology, the FDC2612 ensures minimal conduction and switching losses, enhancing energy efficiency in both industrial and consumer electronics. Its dual-channel configuration allows for compact designs, reducing board space while maintaining robust thermal performance.  

Key features include a low gate charge (Qg) and a high current-handling capability, enabling reliable operation in high-frequency switching environments. The device also offers excellent avalanche ruggedness, ensuring durability under demanding conditions.  

With a voltage rating of 30V and a continuous drain current of up to 12A per channel, the FDC2612 is well-suited for DC-DC converters, battery management systems, and other power-sensitive applications. Its industry-standard SO-8 package ensures compatibility with existing designs while facilitating easy integration.  

Engineers seeking a balance of performance, efficiency, and reliability will find the FDC2612 a dependable choice for modern power electronics solutions.