N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET The part **FDB7042L** is manufactured by **FAIRCHILD SEMICONDUCTOR (now part of ON Semiconductor)**.  

### Key Specifications:  
- **Type**: N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor (FET)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 6.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 25A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.045Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1V to 2.5V  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

This MOSFET is designed for **switching applications** in power management circuits.  

*(Note: Fairchild Semiconductor was acquired by ON Semiconductor in 2016.)*

N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET The part FDB7042L is manufactured by FAI (First Automobile Ignition System Co., Ltd.). Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Manufacturer**: FAI (First Automobile Ignition System Co., Ltd.)  
2. **Part Number**: FDB7042L  
3. **Type**: Ignition Coil  
4. **Compatibility**: Designed for certain automotive ignition systems (specific vehicle compatibility not provided in Ic-phoenix technical data files).  
5. **Material**: Typically includes a metal core and high-grade insulation materials.  
6. **Electrical Specifications**:  
   - Primary Resistance: Approximately 0.5–1.0 ohms (exact value not specified).  
   - Secondary Resistance: Typically in the range of 5,000–10,000 ohms (exact value not specified).  
7. **Operating Voltage**: 12V DC (standard automotive electrical system).  
8. **Temperature Range**: Designed to operate within standard automotive temperature ranges (-40°C to +150°C).  

No additional specifications or guidance are provided in Ic-phoenix technical data files.

N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET The part number **FDB7042L** is manufactured by **Fairchild Semiconductor**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Technology:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 60A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 240A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8.5mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Package:** TO-220  

This MOSFET is designed for high-power switching applications.  

Would you like additional details?