20V P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET **Introduction to the FDB6021P from Fairchild Semiconductor**  

The **FDB6021P** is a high-performance P-channel MOSFET developed by Fairchild Semiconductor, designed for efficient power management in a variety of electronic applications. This component features a low on-resistance (R_DS(on)) and high current-handling capability, making it suitable for switching and power regulation tasks in consumer electronics, industrial systems, and automotive circuits.  

With a drain-source voltage (V_DS) rating of -20V and a continuous drain current (I_D) of -8.5A, the FDB6021P offers reliable performance in compact designs. Its advanced trench technology ensures reduced conduction losses, enhancing energy efficiency in power conversion applications. The MOSFET also includes a fast switching characteristic, which minimizes switching losses in high-frequency circuits.  

The device is housed in a TO-252 (DPAK) package, providing robust thermal performance and ease of PCB mounting. Its lead-free and RoHS-compliant construction aligns with modern environmental standards.  

Engineers often select the FDB6021P for applications such as DC-DC converters, load switches, and battery management systems, where low power dissipation and high reliability are critical. Its combination of electrical efficiency and thermal stability makes it a versatile choice for demanding power electronics designs.

20V P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET The part **FDB6021P** is manufactured by **FAIRCHILD**. Here are its specifications:

- **Type**: P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS)**: ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -5.8A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.065Ω (at V_GS = -4.5V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1V (max)  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

These are the factual specifications for the **FDB6021P** from FAIRCHILD.