The **FDB5680** is a high-performance **N-channel Power MOSFET** developed by **Fairchild Semiconductor**, designed for efficient power management in various electronic applications. This component is optimized for **low on-resistance (RDS(on))** and **fast switching speeds**, making it suitable for power supply circuits, motor control, and DC-DC converters.  

With a **drain-source voltage (VDS) rating of 80V** and a **continuous drain current (ID) of 62A**, the FDB5680 ensures robust performance in demanding environments. Its **low gate charge (Qg)** and **high avalanche energy capability** enhance efficiency while minimizing power losses.  

The MOSFET features **TO-252 (DPAK) packaging**, providing a compact footprint for space-constrained designs while maintaining excellent thermal dissipation. Its **lead-free and RoHS-compliant** construction aligns with modern environmental standards.  

Engineers favor the FDB5680 for its **reliability and cost-effectiveness** in applications such as **switching regulators, battery protection circuits, and automotive systems**. Its combination of **low conduction losses and high switching efficiency** makes it a preferred choice for power electronics designers seeking optimal performance.  

For detailed specifications, refer to the **official datasheet** to ensure proper integration into circuit designs.