75V N-Channel Power Trench?MOSFET The **FDB3502** from Fairchild Semiconductor is a high-performance N-channel PowerTrench® MOSFET designed for efficient power management in a variety of applications. This component is engineered to deliver low on-resistance (RDS(on)) and high switching speeds, making it suitable for power supply circuits, DC-DC converters, and motor control systems.  

With a drain-source voltage (VDS) rating of 30V and a continuous drain current (ID) of up to 35A, the FDB3502 ensures reliable operation under demanding conditions. Its advanced PowerTrench® technology minimizes conduction and switching losses, enhancing energy efficiency in both industrial and consumer electronics.  

The MOSFET features a compact, surface-mount DPAK package, facilitating easy integration into modern PCB designs while maintaining excellent thermal performance. Its robust construction and low gate charge (Qg) contribute to reduced power dissipation, making it an ideal choice for high-frequency switching applications.  

Engineers and designers can leverage the FDB3502 for improved system efficiency, reduced heat generation, and extended operational lifespan. Its combination of high current handling, low RDS(on), and fast switching capabilities positions it as a versatile solution for power electronics applications requiring precision and reliability.