Discrete Automotive N-Channel PowerTrench MOSFET, 60V, 80A, 5mOhms, TO-263AB The part **FDB050AN06A0** is manufactured by **FAIRCHILD SEMICONDUCTOR (now part of ON Semiconductor)**.  

### Key Specifications:  
- **Type**: Power MOSFET  
- **Technology**: N-Channel  
- **Voltage Rating (VDS)**: 60V  
- **Current Rating (ID)**: 50A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD)**: 125W  
- **Package**: TO-263 (D2PAK)  
- **RDS(ON)**: Typically 0.05Ω (at VGS = 10V)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th))**: 2V to 4V  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +175°C  

This MOSFET is designed for high-efficiency power switching applications.  

*(Note: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR was acquired by ON Semiconductor in 2016.)*

Discrete Automotive N-Channel PowerTrench MOSFET, 60V, 80A, 5mOhms, TO-263AB The part **FDB050AN06A0** is a **PowerTrench MOSFET** manufactured by **FAIRCHILD Semiconductor**.  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 60V  
- **Current Rating (ID):** 50A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD):** 150W  
- **RDS(ON) (Max):** 5.0mΩ @ VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  
- **Technology:** PowerTrench (Low RDS(ON), High Efficiency)  
- **Applications:** Power switching in DC-DC converters, motor control, and other high-current applications.  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the **FDB050AN06A0** MOSFET.