N-Channel UniFETTM MOSFET 250V, 59A, 49m? The FDA59N25 is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Below are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 250V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 59A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 236A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.025Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 3800pF  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 1200pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 15ns  
- **Rise Time (t_r)**: 60ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 55ns  
- **Fall Time (t_f)**: 25ns  
- **Package**: TO-247  

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FDA59N25.

N-Channel UniFETTM MOSFET 250V, 59A, 49m? The FDA59N25 is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor).  

Key specifications:  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 250V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 59A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 236A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.025Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Package**: TO-247  

These specifications are based on standard operating conditions. For detailed performance characteristics, refer to the official datasheet.

N-Channel UniFETTM MOSFET 250V, 59A, 49m? # Introduction to the FDA59N25 Electronic Component  

The FDA59N25 is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of 250V and a continuous drain current (I_D) of 59A, this component is well-suited for high-power switching tasks in industrial, automotive, and consumer electronics.  

Key features of the FDA59N25 include low on-resistance (R_DS(on)), which minimizes power loss and improves efficiency, as well as fast switching capabilities that enhance performance in high-frequency circuits. Its robust design ensures reliable operation under demanding conditions, making it ideal for applications such as motor control, power supplies, and inverters.  

The MOSFET is housed in a TO-252 (DPAK) package, providing a compact footprint while maintaining effective thermal dissipation. Additionally, its built-in protection mechanisms, including a high avalanche energy rating, contribute to its durability in rugged environments.  

Engineers and designers often select the FDA59N25 for its balance of power handling, efficiency, and reliability. Whether used in battery management systems, DC-DC converters, or other power electronics, this component delivers consistent performance in a variety of high-voltage applications.

N-Channel UniFETTM MOSFET 250V, 59A, 49m? The part **FDA59N25** is a **Field Effect Transistor (FET)** with the following FSC (Federal Supply Class) specifications:  

- **FSC (Federal Supply Class):** 5961 (Semiconductor Devices and Associated Hardware)  
- **NIIN (National Item Identification Number):** Not specified in Ic-phoenix technical data files  
- **Description:** N-Channel MOSFET, 250V, 59A  

This information is based on the available FSC classification for semiconductor devices. Additional details such as specific military or government standards (MIL-SPEC) are not provided in Ic-phoenix technical data files.