500V N-Channel UniFET **Introduction to the FDA50N50 Power MOSFET**  

The FDA50N50 is a high-performance N-channel power MOSFET designed for demanding applications requiring efficient power switching and robust performance. With a voltage rating of 500V and a continuous drain current of 50A, this component is well-suited for power supplies, motor control, and inverters where reliability and low conduction losses are critical.  

Featuring low on-resistance (RDS(on)) and fast switching characteristics, the FDA50N50 minimizes power dissipation, improving overall system efficiency. Its advanced design ensures thermal stability, making it suitable for high-temperature environments. Additionally, the MOSFET incorporates built-in protection against voltage spikes, enhancing durability in rugged applications.  

The FDA50N50 is housed in a TO-247 package, providing excellent heat dissipation and mechanical strength. Engineers favor this component for its balance of performance, cost-effectiveness, and ease of integration into existing designs.  

Whether used in industrial automation, renewable energy systems, or automotive electronics, the FDA50N50 offers a dependable solution for high-power switching needs. Its specifications make it a practical choice for designers seeking a durable and efficient power semiconductor.

500V N-Channel UniFET The FDA50N50 is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

1. **Voltage Rating (V_DSS)**: 500V  
2. **Current Rating (I_D)**: 50A (at 25°C)  
3. **Power Dissipation (P_D)**: 300W (at 25°C)  
4. **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.05Ω (max at V_GS = 10V)  
5. **Gate Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
6. **Gate Charge (Q_g)**: 120nC (typical)  
7. **Package**: TO-247  

These specifications are based on standard operating conditions. Always refer to the official datasheet for detailed performance curves and application conditions.