IC Phoenix logo

Home ›  F  › F6 > FDA28N50

FDA28N50 from N/A

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

15.625ms

FDA28N50

Manufacturer: N/A

N-Channel UniFETTM MOSFET 500V, 28A, 155m?

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FDA28N50 N/A 7200 In Stock

Description and Introduction

N-Channel UniFETTM MOSFET 500V, 28A, 155m? # Introduction to the FDA28N50 Power MOSFET  

The FDA28N50 is a high-performance N-channel power MOSFET designed for demanding applications requiring efficient power switching and robust performance. With a drain-source voltage (VDS) rating of 500V and a continuous drain current (ID) of 28A, this component is well-suited for power supplies, motor control, and industrial inverters.  

Built using advanced semiconductor technology, the FDA28N50 offers low on-resistance (RDS(on)), reducing conduction losses and improving overall efficiency. Its fast switching characteristics make it ideal for high-frequency applications, while its rugged design ensures reliability under harsh operating conditions.  

The MOSFET features a TO-247 package, providing excellent thermal dissipation and mechanical strength. Additionally, it incorporates an intrinsic body diode, enhancing its suitability for inductive load applications.  

Engineers and designers value the FDA28N50 for its balance of performance, durability, and cost-effectiveness, making it a practical choice for power electronics systems where efficiency and reliability are critical. Whether used in AC-DC converters, welding equipment, or renewable energy systems, this MOSFET delivers consistent performance in demanding environments.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FDA28N50 7200 In Stock

Description and Introduction

N-Channel UniFETTM MOSFET 500V, 28A, 155m? The FDA28N50 is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:  

- **Drain-Source Voltage (VDSS)**: 500V  
- **Continuous Drain Current (ID)**: 28A  
- **Pulsed Drain Current (IDM)**: 112A  
- **Power Dissipation (PD)**: 300W  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on))**: 0.23Ω (max at VGS = 10V)  
- **Threshold Voltage (VGS(th))**: 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss)**: 3000pF  
- **Output Capacitance (Coss)**: 500pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 100pF  
- **Package**: TO-3P (isolated tab)  

These specifications are based on standard operating conditions (25°C unless noted).

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips