N-Channel UniFETTM MOSFET 500V, 19A, 265m? The FDA18N50 is a power MOSFET manufactured by FAIRCHILD (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:  

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 18A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 72A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 230W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.28Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 50pF (typ)  
- **Package**: TO-3P  

This MOSFET is designed for high-voltage, high-speed switching applications.

N-Channel UniFETTM MOSFET 500V, 19A, 265m? The FDA18N50 is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are the key FSC (Fairchild Semiconductor) specifications for this part:  

- **Voltage Rating (V_DSS)**: 500V  
- **Current Rating (I_D)**: 18A (at 25°C)  
- **Power Dissipation (P_D)**: 230W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.28Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
- **Package Type**: TO-3P (TO-247 equivalent)  

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FDA18N50.