120V NPN SILICON HIGH VOLTAGE DARLINGTON TRANSISTOR The part FCX605TA is manufactured by ZETEX. It is a PNP silicon planar epitaxial transistor designed for general-purpose amplifier applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -25V  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -40V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -500mA  
- **Total Power Dissipation (PTOT):** 625mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100-250 (at IC = -150mA, VCE = -1V)  
- **Transition Frequency (fT):** 100MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

The transistor is available in a SOT-23 surface-mount package.