SBD FULLY MOLDED ISOLATION The part FCQ08A04 is manufactured by N (Nexperia). Here are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Type:** Schottky diode  
- **Configuration:** Dual common cathode  
- **Maximum repetitive reverse voltage (VRRM):** 40 V  
- **Average forward current (IF(AV)):** 500 mA per diode  
- **Peak forward surge current (IFSM):** 2 A  
- **Forward voltage (VF):** 500 mV at 500 mA  
- **Reverse current (IR):** 100 µA at 40 V  
- **Operating temperature range:** -65 °C to +150 °C  
- **Package:** SOT-23  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance characteristics, refer to the official documentation.

SBD FULLY MOLDED ISOLATION The part FCQ08A04 is manufactured by NIEC (New Japan Radio Co., Ltd.). Below are the specifications based on Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: Quad 2-input NAND Schmitt trigger IC.  
2. **Technology**: CMOS.  
3. **Supply Voltage (VDD)**: 3V to 18V.  
4. **Input Voltage (VI)**: 0V to VDD.  
5. **Operating Temperature Range**: -40°C to +85°C.  
6. **High-Level Output Current (IOH)**: -4mA (min).  
7. **Low-Level Output Current (IOL)**: 4mA (min).  
8. **Propagation Delay (tpd)**: Typically 90ns at 5V.  
9. **Package**: SOP-14 (Small Outline Package).  

These are the key specifications for the FCQ08A04 as provided by NIEC.