General Description The FCPF11N60T is an N-Channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 11A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 44A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.38Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 30nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 180pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 30pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 12ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 50ns (typ)  
- **Package**: TO-220F (Fully Insulated)  

This MOSFET is designed for high-voltage, high-speed switching applications.

General Description The part **FCPF11N60T** is manufactured by **FSC (Fairchild Semiconductor Corporation)**.

### **Specifications:**
- **Type:** N-Channel MOSFET
- **Voltage Rating (VDS):** 600V
- **Current Rating (ID):** 11A (at 25°C)
- **Power Dissipation (PD):** 190W (at 25°C)
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.38Ω (max) at VGS = 10V
- **Package:** TO-220F (Fully Insulated)
- **Technology:** SuperFET® (Fast Switching, Low RDS(on))
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C

This MOSFET is designed for high-efficiency power switching applications.