N-Channel SupreMOS?MOSFET 600V, 10.8A, 299m? The FCPF11N60NT is an N-channel MOSFET manufactured by ON Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 11A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 44A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.38Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 28nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 160pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 30pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-220F (isolated)  

This MOSFET is designed for high-efficiency switching applications.

N-Channel SupreMOS?MOSFET 600V, 10.8A, 299m? The FCPF11N60NT is a N-channel MOSFET with the following specifications:  

- **Manufacturer**: N/A (Not specified in the provided knowledge base)  
- **Technology**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 11A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 44A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.38Ω (at V_GS = 10V, I_D = 5.5A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 65ns  
- **Rise Time (t_r)**: 45ns  
- **Fall Time (t_f)**: 25ns  
- **Package**: TO-220F (Fully Insulated)  

This information is based solely on the provided knowledge base. No additional details or recommendations are included.