600V N-Channel MOSFET The FCP16N60 is a MOSFET manufactured by FA (Fairchild Semiconductor). Here are the key specifications:  

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 16A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 48A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.3Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 50ns (typ)  
- **Package**: TO-220F  

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FCP16N60 MOSFET.

600V N-Channel MOSFET The FCP16N60 is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (FSC). Here are its key specifications:  

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 16A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 48A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 280W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.28Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 2500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 500pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 100pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 65ns (typ)  
- **Package**: TO-220F (Fully Insulated)  

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FCP16N60.