N-Channel SupreMOS? MOSFET 600 V, 25 A, 125 mΩ The FCI25N60N_F102 is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications:  

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS)**: 600V  
- **Current Rating (ID)**: 25A (at 25°C)  
- **Power Dissipation (PD)**: 230W  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on))**: 0.102Ω (max at VGS = 10V)  
- **Package**: TO-247  
- **Technology**: SuperFET® II (low gate charge, fast switching)  

This MOSFET is designed for high-efficiency power switching applications.  

(Source: Fairchild Semiconductor datasheet)

N-Channel SupreMOS? MOSFET 600 V, 25 A, 125 mΩ # Introduction to the FCI25N60N_F102 Power MOSFET  

The **FCI25N60N_F102** is a high-performance N-channel power MOSFET designed for efficient switching applications in power electronics. With a voltage rating of **600V** and a continuous drain current capability of **25A**, this component is well-suited for use in inverters, motor drives, and switch-mode power supplies (SMPS).  

Built using advanced semiconductor technology, the FCI25N60N_F102 offers low **on-resistance (RDS(on))** and fast switching characteristics, reducing conduction and switching losses. Its robust design ensures reliable operation in demanding environments, making it a preferred choice for industrial and automotive applications.  

Key features include:  
- **600V drain-source voltage (VDS)**  
- **25A continuous drain current (ID)**  
- Low gate charge for improved efficiency  
- Enhanced thermal performance  

The MOSFET is housed in a **TO-247 package**, providing excellent heat dissipation and mechanical durability. Engineers favor this component for its balance of power handling, efficiency, and reliability in high-voltage circuits.  

Whether used in renewable energy systems, industrial automation, or power conversion, the **FCI25N60N_F102** delivers consistent performance, making it a dependable solution for modern power management challenges.