Schottky Barrier Diode The FCH30A04 is a power MOSFET manufactured by NIEC (New Japan Radio Co., Ltd.). Below are its key specifications:  

- **Type**: N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 120A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.04Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1.0V (min), 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 400pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 100pF (typ)  
- **Package**: TO-220  

For detailed datasheet information, refer to NIEC's official documentation.

Schottky Barrier Diode The FCH30A04 is a power MOSFET manufactured by NEC. Here are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: N-channel power MOSFET  
2. **Voltage Rating**: 30V  
3. **Current Rating**: 30A  
4. **Package**: TO-220  
5. **On-Resistance (RDS(on))**: Typically 0.04Ω  
6. **Gate Threshold Voltage (VGS(th))**: 2-4V  
7. **Maximum Power Dissipation**: 50W  
8. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These are the factual specifications provided for the FCH30A04 MOSFET by NEC.