Schottky Barrier Diode The part **FCH30A03L** is manufactured by **NIHON**. Here are the specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer:** NIHON  
- **Part Number:** FCH30A03L  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Package:** TO-220F  
- **Voltage (VDS):** 30V  
- **Current (ID):** 30A  
- **Power Dissipation (PD):** 30W  
- **RDS(ON):** 8.5mΩ (max)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0V (min) - 2.5V (max)  
- **Gate Charge (Qg):** 18nC (typical)  

This information is strictly based on the available data. Let me know if you need further details.

Schottky Barrier Diode The FCH30A03L is a MOSFET manufactured by NIEC (Nippon International Electronics Corporation). Below are its key specifications:  

- **Type**: N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 120A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.03Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1.0V (min) – 2.5V (max)  
- **Package**: TO-220F (isolated type)  

These specifications are based on standard operating conditions (25°C unless otherwise noted). For detailed performance curves and absolute maximum ratings, refer to the official NIEC datasheet.