IC Phoenix logo

Home ›  F  › F5 > FCH20N60

FCH20N60 from FAIRCHIL,Fairchild Semiconductor

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

FCH20N60

Manufacturer: FAIRCHIL, Fairchild

600V N-Channel SuperFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FCH20N60 FAIRCHIL, Fairchild 61 In Stock

Description and Introduction

600V N-Channel SuperFET The FCH20N60 is a power MOSFET manufactured by FAIRCHILD (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:  

- **Voltage Rating (V_DSS):** 600V  
- **Current Rating (I_D):** 20A (at 25°C)  
- **Power Dissipation (P_D):** 280W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.28Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Package:** TO-247  
- **Technology:** N-Channel MOSFET  

This device is designed for high-voltage, high-speed switching applications such as power supplies and motor controls.  

(Note: Always verify datasheet details for exact specifications in your application.)

Application Scenarios & Design Considerations

600V N-Channel SuperFET# FCH20N60 N-Channel Power MOSFET Technical Documentation

 Manufacturer : FAIRCHILD

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The FCH20N60 is a 600V, 20A N-channel power MOSFET utilizing SuperFET technology, making it particularly suitable for:

 Primary Applications: 
-  Switch-Mode Power Supplies (SMPS) : Used in PFC (Power Factor Correction) circuits, forward converters, and half-bridge configurations
-  Motor Control Systems : Industrial motor drives, HVAC compressor controls, and robotic actuator systems
-  Lighting Systems : High-power LED drivers, HID ballasts, and electronic lighting controls
-  Power Conversion : DC-DC converters, uninterruptible power supplies (UPS), and inverter systems

### Industry Applications
-  Industrial Automation : Motor drives for conveyor systems, CNC machines, and industrial robotics
-  Renewable Energy : Solar inverters, wind power conversion systems
-  Consumer Electronics : High-efficiency power supplies for gaming consoles, high-end audio amplifiers
-  Automotive Systems : Electric vehicle charging stations, automotive power conversion
-  Telecommunications : Server power supplies, base station power systems

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Low RDS(on) : Typically 0.19Ω (max) at VGS = 10V, reducing conduction losses
-  Fast Switching : Optimized for high-frequency operation (up to several hundred kHz)
-  High Voltage Rating : 600V breakdown voltage suitable for offline applications
-  Robustness : Excellent avalanche energy capability and dv/dt immunity
-  Thermal Performance : Low thermal resistance for improved power handling

 Limitations: 
-  Gate Drive Requirements : Requires proper gate drive circuitry to prevent shoot-through
-  Thermal Management : Requires adequate heatsinking for high-current applications
-  Voltage Spikes : Susceptible to voltage overshoot during switching transitions
-  Cost Considerations : Higher cost compared to standard MOSFETs due to advanced technology

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Pitfall 1: Inadequate Gate Driving 
-  Problem : Slow switching speeds leading to excessive switching losses
-  Solution : Implement dedicated gate driver ICs with 2-4A peak current capability
-  Implementation : Use isolated gate drivers for bridge configurations

 Pitfall 2: Thermal Runaway 
-  Problem : Insufficient heatsinking causing device failure
-  Solution : Calculate thermal impedance and provide adequate cooling
-  Implementation : Use thermal interface materials and forced air cooling for high-power applications

 Pitfall 3: Voltage Spikes and Ringing 
-  Problem : Overshoot exceeding maximum VDS rating
-  Solution : Implement snubber circuits and proper layout techniques
-  Implementation : Use RC snubbers and optimize parasitic inductance

### Compatibility Issues with Other Components

 Gate Driver Compatibility: 
- Requires gate drivers capable of delivering sufficient peak current (2-4A recommended)
- Compatible with standard logic-level and industrial gate driver ICs
- Ensure proper isolation in bridge configurations

 Protection Circuit Requirements: 
- Overcurrent protection using shunt resistors or current transformers
- Overvoltage protection with TVS diodes or varistors
- Thermal protection using NTC thermistors or integrated temperature sensors

 Controller Compatibility: 
- Works with standard PWM controllers from major manufacturers
- Compatible with microcontroller-based control systems
- Requires proper level shifting for 3.3V/5V logic interfaces

### PCB Layout Recommendations

 Power Stage Layout: 
- Minimize loop area in high-current paths to reduce parasitic inductance
- Use wide copper pours for drain and source connections
- Place decoupling capacitors as close as possible to device terminals

 Gate Drive Layout: 
- Keep gate drive traces

Alternative Part Number

  • SPP20N60S5 --: 600V N-channel MOSFET in TO-220 with comparable RDS(on) and current rating, widely available and pin-compatible.
  • STP20N60M2 --: 600V MDmesh MOSFET in TO-220 offering similar voltage and current ratings with low on-resistance.
  • IRFB20N60A --: 600V N-channel power MOSFET in TO-220 with matching current class, suitable drop-in replacement.
  • STP20NM60 --: 600V 20A N-channel power MOSFET in TO-220 package, similar RDS(on) and switching characteristics suitable for the same applications.
  • IRFPC50 --: 600V N-channel MOSFET with 20A class rating in TO-247/TO-220 style package, a common substitute for Fairchild 600V 20A devices.

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips