### **Manufacturer Specifications:**  
- **Manufacturer:** Not explicitly mentioned in the provided knowledge base.  
- **Type:** Rectifier Diode  
- **Current Rating (IF):** 10A (average forward current)  
- **Voltage Rating (VRRM):** 600V (peak repetitive reverse voltage)  
- **Package:** Likely a standard diode package (e.g., TO-220, DO-201AD, etc.), but exact package not specified.  
- **Forward Voltage Drop (VF):** Not provided in Ic-phoenix technical data files.  
- **Reverse Leakage Current (IR):** Not provided in Ic-phoenix technical data files.  
- **Operating Temperature Range:** Not specified.  

For exact details, refer to the manufacturer's datasheet.

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.06Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V (min) - 4.0V (max)  
- **Package:** TO-220  

This MOSFET is designed for power switching applications.

**Specifications:**  
- **Type:** Diode  
- **Voltage Rating:** 600V  
- **Current Rating:** 10A  
- **Package:** TO-220AB  
- **Forward Voltage Drop (Vf):** Typically 1.7V at 10A  
- **Reverse Recovery Time (trr):** Typically 35ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

This information is based on standard industry specifications for the FCH10A06 diode. For precise details, refer to the official datasheet from the manufacturer.