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FCD4N60 from Fairchild,Fairchild Semiconductor

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FCD4N60

Manufacturer: Fairchild

N-Channel SuperFET?MOSFET 600V, 3.9A, 1.2?

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FCD4N60 Fairchild 2519 In Stock

Description and Introduction

N-Channel SuperFET?MOSFET 600V, 3.9A, 1.2? The FCD4N60 is an N-channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Here are its key specifications:  

- **Drain-Source Voltage (VDSS)**: 600V  
- **Continuous Drain Current (ID)**: 4A  
- **Pulsed Drain Current (IDM)**: 16A  
- **Power Dissipation (PD)**: 38W  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on))**: 2.5Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th))**: 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss)**: 300pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss)**: 45pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 10pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on))**: 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off))**: 35ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-220  

This information is based on Fairchild's datasheet for the FCD4N60.

Application Scenarios & Design Considerations

N-Channel SuperFET?MOSFET 600V, 3.9A, 1.2?# FCD4N60 N-Channel Power MOSFET Technical Documentation

*Manufacturer: Fairchild Semiconductor*

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The FCD4N60 is a 600V, 4A N-channel power MOSFET designed for high-voltage switching applications. Its primary use cases include:

 Power Supply Systems 
- Switch-mode power supplies (SMPS) in flyback and forward converter topologies
- Power factor correction (PFC) circuits
- DC-DC converters in industrial and consumer electronics
- Auxiliary power supplies for appliances and computing equipment

 Motor Control Applications 
- Brushless DC motor drivers
- Stepper motor controllers
- Industrial motor drives up to 400W
- Automotive auxiliary motor controls

 Lighting Systems 
- Electronic ballasts for fluorescent lighting
- LED driver circuits
- High-intensity discharge (HID) lighting controls

### Industry Applications
 Industrial Automation 
- PLC output modules
- Motor drive units
- Power control systems
- Robotics power management

 Consumer Electronics 
- LCD/LED television power supplies
- Computer power supplies (ATX)
- Audio amplifier power stages
- Battery charging systems

 Renewable Energy 
- Solar inverter auxiliary circuits
- Wind turbine control systems
- Energy storage system power management

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High Voltage Capability : 600V drain-source voltage rating enables robust operation in harsh electrical environments
-  Fast Switching : Typical switching times of 30ns (turn-on) and 60ns (turn-off) support high-frequency operation up to 100kHz
-  Low Gate Charge : Total gate charge of 18nC reduces drive circuit complexity and power requirements
-  Low RDS(ON) : 1.8Ω maximum at 25°C ensures minimal conduction losses
-  Avalanche Energy Rated : Withstands specified avalanche energy for improved reliability in inductive load applications

 Limitations: 
-  Current Handling : Maximum 4A continuous current limits high-power applications
-  Thermal Constraints : Requires adequate heatsinking for power dissipation above 2W
-  Gate Sensitivity : Maximum ±30V gate-source voltage requires careful gate drive design
-  Frequency Limitations : Not optimized for very high-frequency switching (>200kHz)

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Gate Drive Issues 
-  Pitfall : Inadequate gate drive current causing slow switching and excessive switching losses
-  Solution : Use dedicated gate driver ICs (e.g., TC4420, IR2110) capable of 2A peak output current
-  Pitfall : Excessive gate ringing due to poor layout and high parasitic inductance
-  Solution : Implement series gate resistors (10-47Ω) and minimize gate loop area

 Thermal Management 
-  Pitfall : Inadequate heatsinking leading to thermal runaway and device failure
-  Solution : Calculate maximum junction temperature using: TJ = TA + (RθJA × PD)
-  Pitfall : Poor thermal interface material application
-  Solution : Use proper thermal compound and ensure even mounting pressure

 Protection Circuitry 
-  Pitfall : Missing overvoltage protection for inductive load switching
-  Solution : Implement snubber circuits and TVS diodes for voltage clamping
-  Pitfall : Lack of overcurrent protection
-  Solution : Use current sense resistors and comparator circuits for fast shutdown

### Compatibility Issues with Other Components

 Gate Driver Compatibility 
- Ensure gate driver output voltage matches MOSFET VGS requirements (typically 10-15V)
- Verify driver current capability matches MOSFET gate charge requirements
- Check for voltage level shifting requirements in high-side configurations

 Freewheeling Diode Selection 
- Body diode reverse recovery characteristics (trr = 150ns typical) affect

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