600V N-Channel SuperFET The **FCB20N60TM** from Fairchild Semiconductor is a high-performance **N-channel Power MOSFET** designed for demanding power management applications. With a **600V drain-source voltage (V_DSS)** rating and a **20A continuous drain current (I_D)**, this component is well-suited for use in **switching power supplies, motor control circuits, and industrial inverters**.  

Built using advanced **SuperFET® technology**, the FCB20N60TM delivers **low on-resistance (R_DS(on))** and **fast switching speeds**, enhancing efficiency while minimizing power losses. Its robust design ensures reliable operation under high-voltage conditions, making it ideal for applications requiring durability and thermal stability.  

Key features include a **low gate charge (Q_G)** and **avalanche energy (E_AS)**, which contribute to improved performance in high-frequency switching environments. Additionally, the MOSFET is housed in a **TO-220F package**, providing effective heat dissipation and mechanical strength.  

Engineers and designers will appreciate the FCB20N60TM for its **balance of power handling, efficiency, and thermal management**, making it a dependable choice for power electronics systems. Whether used in **AC-DC converters, UPS systems, or lighting ballasts**, this MOSFET delivers consistent performance in challenging operational conditions.