Hybrid transistor The part **FB1L2Q-T1B** is manufactured by **NEC**. Below are the specifications based on available factual data:  

- **Manufacturer:** NEC  
- **Type:** Schottky Barrier Diode  
- **Configuration:** Dual Common Anode  
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV)):** 1A per diode  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 30A  
- **Reverse Voltage (VR):** 40V  
- **Forward Voltage Drop (VF):** 0.5V (typical) at 1A  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 0.5mA (maximum) at 40V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +125°C  
- **Package:** SOD-323 (SC-76)  

This information is sourced from NEC's datasheet for the **FB1L2Q-T1B** Schottky diode. Let me know if you need further details.