Half Bridge Gate Driver The FAN7383 is a high-voltage, high-speed gate driver IC manufactured by ON Semiconductor. Below are its key specifications:

1. **Voltage Ratings**:
   - High-side floating supply voltage (VBS): Up to 620V
   - Output voltage (VHO, VLO): Up to 15V
   - Supply voltage (VCC): 10V to 20V (recommended operating range)

2. **Output Current**:
   - Peak output current (source/sink): 350mA / 650mA

3. **Switching Speed**:
   - Propagation delay (typical): 60ns
   - Rise/fall time (typical): 30ns / 20ns (with 1nF load)

4. **Protection Features**:
   - Under-voltage lockout (UVLO) for both high-side and low-side drivers
   - Matched propagation delays for both channels
   - Cross-conduction prevention

5. **Operating Temperature Range**:
   - -40°C to +125°C

6. **Package**:
   - 8-pin SOIC (Small Outline Integrated Circuit)

7. **Applications**:
   - Motor drives
   - Switch-mode power supplies (SMPS)
   - Half-bridge or full-bridge inverters

8. **Additional Features**:
   - CMOS/LSTTL compatible input thresholds
   - 3.3V and 5V logic compatible inputs

These specifications are based on the manufacturer's datasheet for the FAN7383. For detailed performance characteristics, refer to the official documentation.

Half Bridge Gate Driver# Technical Documentation: FAN7383 High-Voltage Half-Bridge Gate Driver IC

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The FAN7383 is a monolithic high-voltage, high-speed gate driver IC designed to drive both high-side and low-side N-channel power MOSFETs or IGBTs in a half-bridge configuration. Its primary function is to provide the necessary voltage translation, isolation, and drive current to efficiently switch power devices in high-voltage environments.

 Primary Operational Modes: 
*    Motor Drive Systems:  Generating complementary PWM signals for 3-phase inverter bridges in BLDC (Brushless DC) and PMSM (Permanent Magnet Synchronous Motor) controllers. The high-side floating channel allows it to drive the high-side switch referenced to the switching node (phase output).
*    Switched-Mode Power Supplies (SMPS):  Used in high-power half-bridge, full-bridge, and two-switch forward converter topologies, particularly in AC-DC power supplies and DC-DC converters with bus voltages up to 600V.
*    Resonant Converters:  Suitable for LLC and other resonant converter designs where robust high-side driving with bootstrap capacitor operation is required.

### 1.2 Industry Applications
*    Industrial Automation:  Variable Frequency Drives (VFDs), servo drives, and industrial motor controllers.
*    Consumer Appliances:  High-end inverter-based air conditioners, washing machines, and refrigerator compressors.
*    Renewable Energy:  Inverters for solar micro-inverters and energy storage systems.
*    Automotive:  On-board chargers (OBC) and high-voltage DC-DC converters in electric and hybrid electric vehicles (xEVs).
*    Telecom/Server Power:  High-density, high-efficiency AC-DC server power supplies and telecom rectifiers.

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
*    High Voltage Capability:  Features a floating high-side channel rated for up to 600V, enabling direct use in off-line and high-voltage DC bus applications.
*    Integrated Bootstrap Functionality:  Simplifies design by allowing the use of a bootstrap capacitor and diode to generate the high-side supply voltage (`VB`), eliminating the need for an isolated DC-DC converter in many cases.
*    Robustness:  Includes under-voltage lockout (UVLO) protection for both VCC and the floating bootstrap supply (`VB-VS`), preventing power device operation at insufficient gate drive voltage. Matched propagation delays minimize dead-time requirements.
*    High Drive Strength:  Typical peak output source/sink currents of 350mA/650mA enable fast switching of large MOSFET/IGBTs, reducing switching losses.

 Limitations: 
*    Bootstrap Limitation:  The bootstrap method for high-side supply requires the low-side switch to be turned on periodically to recharge the bootstrap capacitor. This makes it unsuitable for applications requiring 100% high-side duty cycle.
*    dv/dt Immunity:  While designed for high noise immunity, extremely high `dv/dt` transients at the switching node (`VS` pin) can cause parasitic turn-on or latch-up if layout is poor.
*    Limited Drive Current:  For very high-current modules or paralleled devices, the internal driver may require an external buffer stage to achieve desired switching speeds.

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions
*    Pitfall 1: Bootstrap Capacitor Under-Sizing. 
    *    Symptom:  High-side driver malfunctions or shuts down (UVLO) during extended high-side on-times.
    *    Solution:  Calculate bootstrap capacitor (`C_BOOT`) value based on total gate charge (`Q_g`) of the high-side MOSFET, allowable `VBS` dro