STEREO POWER AMP FOR HEADPHONE The FAN7000DTF is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor  
- **Part Number:** FAN7000DTF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) - 2.5V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 30nC (typ) at V_DS = 15V, I_D = 15A  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FAN7000DTF.

STEREO POWER AMP FOR HEADPHONE The FAN7000DTF is a power MOSFET manufactured by SAMSUNG. Below are its key specifications:  

- **Manufacturer:** SAMSUNG  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

These specifications are based on standard operating conditions. For detailed performance curves and absolute maximum ratings, refer to the official datasheet.

STEREO POWER AMP FOR HEADPHONE The FAN7000DTF is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Below are its key specifications:

- **Manufacturer**: Fairchild Semiconductor  
- **Part Number**: FAN7000DTF  
- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS)**: 30V  
- **Continuous Drain Current (ID)**: 40A  
- **Pulsed Drain Current (IDM)**: 160A  
- **Power Dissipation (PD)**: 50W  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on))**: 6.5mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th))**: 1V (min) to 2.5V (max)  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

This information is based on Fairchild's datasheet for the FAN7000DTF.

STEREO POWER AMP FOR HEADPHONE The FAN7000DTF is manufactured by FAI (Fairchild Semiconductor).  

Key specifications:  
- **Type**: Power MOSFET  
- **Technology**: N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 70A  
- **R_DS(on) (Max)**: 4.5mΩ at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Power Dissipation (P_D)**: 140W  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

These are the factual specifications as provided in Ic-phoenix technical data files.