Extremely low equivalent on-resistance; RCE(sat) 44mù at 5A, 6 Amps continuous current, up to 20 Amps peak current The part FZT853 is a PNP transistor manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are its key specifications:

1. **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
2. **Package**: SOT-223  
3. **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -100V  
4. **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -100V  
5. **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5V  
6. **Continuous Collector Current (I_C)**: -1A  
7. **Power Dissipation (P_tot)**: 1.5W  
8. **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 250 (at I_C = -150mA, V_CE = -5V)  
9. **Transition Frequency (f_T)**: 50MHz  
10. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on typical datasheet values for the FZT853 transistor. For detailed performance curves and application notes, refer to the official datasheet from Diodes Incorporated.