PNP Low Sat Transistor The part FZT790A is manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
2. **Package**: SOT-223  
3. **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 100V  
4. **Collector Current (I_C)**: 2A  
5. **Power Dissipation (P_tot)**: 1.25W  
6. **DC Current Gain (h_FE)**: 100 (min) at I_C = 500mA  
7. **Transition Frequency (f_T)**: 50MHz  
8. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.

PNP Low Sat Transistor The part FZT790A is manufactured by **Diodes Incorporated**. It is an **NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor** designed for **general-purpose amplifier and switching applications**.  

### **Key Specifications:**  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 30V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 30V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 500mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100–300 (at I_C = 10mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 200MHz  
- **Package Type:** SOT-23 (Surface Mount)  

This transistor is RoHS compliant and halogen-free.  

For detailed electrical characteristics, refer to the official datasheet from **Diodes Incorporated**.

PNP Low Sat Transistor The part FZT790A is manufactured by FAIRCHILD. It is a PNP transistor with the following specifications:  

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -60V  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -60V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -2A  
- **Power Dissipation (PD):** 1W  
- **DC Current Gain (hFE):** 50-250  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-223  

This transistor is designed for general-purpose amplification and switching applications.