NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR The part FZT694B is manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Package**: SOT-223 (Surface Mount)
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 45V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V  
- **Continuous Collector Current (IC)**: 1A  
- **Power Dissipation (PD)**: 1.25W  
- **DC Current Gain (hFE)**: 100–250 (at IC = 100mA, VCE = 1V)  
- **Transition Frequency (fT)**: 150MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

This transistor is designed for general-purpose amplification and switching applications.

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR The part **FZT694B** is a PNP bipolar transistor manufactured by **Diodes Incorporated**.  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-223 (Surface Mount)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Continuous Collector Current (IC):** -1A  
- **Power Dissipation (PD):** 1.5W  
- **DC Current Gain (hFE):** 100 (minimum) at IC = -150mA, VCE = -5V  
- **Transition Frequency (fT):** 50MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Applications:**  
- General-purpose switching and amplification  
- Power management circuits  
- Driver stages  

For exact performance characteristics, refer to the official datasheet from Diodes Incorporated.