SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR The part FZT692B is manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are the key specifications:

- **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Package**: SOT223
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -60V
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: -60V
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5V
- **Continuous Collector Current (I_C)**: -500mA
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 1.5W (at 25°C)
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100 (min) to 250 (max) at I_C = -10mA, V_CE = -5V
- **Transition Frequency (f_T)**: 150MHz (typical)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.

SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR The part **FZT692B** is a **PNP transistor** manufactured by **Diodes Incorporated**.  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-223 (Surface Mount)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** -60V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** -60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** -5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** -2A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 (min) @ I_C = -500mA, V_CE = -5V  
- **Transition Frequency (f_T):** 50MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Applications:**  
- Power management  
- Switching circuits  
- Amplification  

For exact datasheet details, refer to the manufacturer's official documentation.