Very low equivalent on-resistance; RCE(sat) 125mù at 2A. The part FZT690B is a PNP transistor manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Here are its key specifications:

- **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: SOT223 (Surface-Mount)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -60V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: -60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5V  
- **Continuous Collector Current (I_C)**: -500mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 1.5W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100 to 250 (at I_C = -150mA, V_CE = -5V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 50MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet. For exact performance details, refer to the official documentation.

Very low equivalent on-resistance; RCE(sat) 125mù at 2A. The part **FZT690B** is manufactured by **Diodes Incorporated**. It is a **SOT-223** packaged **NPN bipolar junction transistor (BJT)**.  

Key specifications:  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 60V  
- **Collector Current (I_C):** 500mA  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100–300  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.5W  
- **Transition Frequency (f_T):** 50MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

This transistor is commonly used in **switching and amplification** applications.  

For exact details, refer to the official datasheet from Diodes Incorporated.