SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR The part FZT658 is a PNP transistor manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are its key specifications:  

- **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: SOT223 (Surface Mount)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -100V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -100V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
- **Continuous Collector Current (IC)**: -1A  
- **Power Dissipation (PD)**: 1.5W  
- **DC Current Gain (hFE)**: 100 (min) at IC = -100mA, VCE = -5V  
- **Transition Frequency (fT)**: 50MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet. For exact performance characteristics, refer to the official documentation.

SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR The part FZT658 is a PNP transistor manufactured by Diodes Incorporated. Here are its key specifications:

- **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
- **Continuous Collector Current (IC)**: -500mA  
- **Power Dissipation (PD)**: 625mW  
- **DC Current Gain (hFE)**: 100–300 (at IC = -150mA, VCE = -1V)  
- **Transition Frequency (fT)**: 150MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: SOT-23  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet. For exact performance characteristics, refer to the official documentation.