SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR Part FZT657 is manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
2. **Package**: SOT223 (Surface Mount)  
3. **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 60V  
4. **Maximum Collector Current (I_C)**: 1.5A  
5. **Power Dissipation (P_D)**: 1.25W (at 25°C)  
6. **DC Current Gain (h_FE)**: 100–250 (at I_C = 500mA)  
7. **Transition Frequency (f_T)**: 150MHz  
8. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.

SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR The part FZT657 is manufactured by **Diodes Incorporated**. It is a **N-channel enhancement mode field effect transistor (FET)** designed for **low voltage, high-speed switching applications**.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±8V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 20A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 28mΩ (max) at V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 0.4V to 1V  
- **Package Type:** SOT-23  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance characteristics, refer to the official documentation from **Diodes Incorporated**.