SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR The FZT560 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are its key specifications:

- **Type**: PNP Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -100V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: -100V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5V  
- **Collector Current (I_C)**: -1A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 1W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100 (min) at I_C = -100mA, V_CE = -5V  
- **Transition Frequency (f_T)**: 50MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: SOT-223 (Surface Mount)  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet. For precise application details, refer to the official documentation.

SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR The FZT560 is a PNP transistor manufactured by Diodes Incorporated. Key specifications include:

- **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: SOT-223  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -60V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5V  
- **Continuous Collector Current (I_C)**: -500mA  
- **Power Dissipation (P_D)**: 1.5W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100 (min) at I_C = -150mA, V_CE = -1V  
- **Transition Frequency (f_T)**: 50MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet.