SOT223 PNP SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTOR The FZT2907A is a PNP transistor manufactured by Diodes Incorporated.  

Key specifications:  
- **Manufacturer**: Diodes Incorporated  
- **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: SOT-223  
- **Voltage Ratings**:  
  - Collector-Emitter Voltage (V_CEO): -60V  
  - Collector-Base Voltage (V_CBO): -60V  
  - Emitter-Base Voltage (V_EBO): -5V  
- **Current Ratings**:  
  - Continuous Collector Current (I_C): -600mA  
- **Power Dissipation (P_D)**: 1.5W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100 to 250 (at I_C = -10mA, V_CE = -1V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 200MHz  

The FZT2907A is commonly used in switching and amplification applications.  

For detailed FSC (Federal Supply Classification) specifications, refer to the manufacturer's datasheet or official documentation.

SOT223 PNP SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTOR The FZT2907A is a PNP transistor manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Here are its key specifications:

- **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -60V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: -60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5V  
- **Collector Current (I_C)**: -600mA (continuous)  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 1W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 50 to 250 (at I_C = -10mA, V_CE = -5V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 200MHz (typical)  
- **Package**: SOT-223 (surface-mount)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

The FZT2907A is designed for high-speed switching and amplification applications.

SOT223 PNP SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTOR The FZT2907A is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Diodes Incorporated. Below are its key specifications:

1. **Type**: PNP BJT  
2. **Package**: SOT-223  
3. **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -60V  
4. **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -60V  
5. **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5V  
6. **Continuous Collector Current (I_C)**: -600mA  
7. **Total Power Dissipation (P_tot)**: 1.4W at 25°C  
8. **DC Current Gain (h_FE)**: 50 to 250 at I_C = -10mA, V_CE = -5V  
9. **Transition Frequency (f_T)**: 200MHz  
10. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet.