SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER The **FYP2006DN** from Fairchild Semiconductor is a high-performance N-channel PowerTrench® MOSFET designed for efficient power management in a variety of applications. This component is optimized for low on-resistance (RDS(on)) and fast switching, making it suitable for power conversion, motor control, and load switching in industrial, automotive, and consumer electronics.  

With a drain-source voltage (VDS) rating of 30V and a continuous drain current (ID) of 50A, the FYP2006DN delivers robust performance in demanding environments. Its advanced PowerTrench® technology ensures reduced conduction and switching losses, enhancing overall system efficiency. The MOSFET also features a low gate charge (Qg), which minimizes drive requirements and improves high-frequency operation.  

Housed in a compact DPAK (TO-252) package, the FYP2006DN offers excellent thermal performance and reliability, making it ideal for space-constrained designs. Its rugged construction ensures durability under high-stress conditions, while its RoHS compliance aligns with modern environmental standards.  

Engineers seeking a balance of efficiency, power handling, and thermal management will find the FYP2006DN a reliable choice for applications such as DC-DC converters, battery management systems, and power supplies. Its combination of performance and compact form factor makes it a versatile solution for modern electronic designs.