NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTOR The part FXT458 is manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Here are the specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT).  
2. **Package**: SOT-23 (Surface Mount).  
3. **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB)**: 60V.  
4. **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 50V.  
5. **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 5V.  
6. **Continuous Collector Current (I_C)**: 500mA.  
7. **Total Power Dissipation (P_tot)**: 350mW.  
8. **DC Current Gain (h_FE)**: Typically 100-400 at I_C = 10mA.  
9. **Transition Frequency (f_T)**: 150MHz.  
10. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C.  

These are the factual specifications for the ZETEX FXT458 transistor.