FRD - For Power Factor Improvement High Frequency Rectification The FSU20B60 is a Schottky barrier diode manufactured by SHINDENGEN. Here are its key specifications:

- **Type**: Schottky barrier diode  
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV))**: 20A  
- **Maximum Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 300A  
- **Reverse Voltage (VR)**: 60V  
- **Forward Voltage (VF)**: 0.55V (typical at 10A)  
- **Reverse Current (IR)**: 0.5mA (typical at VR = 60V, Tj = 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (Tj)**: -40°C to +150°C  
- **Package**: TO-220AB  

These specifications are based on SHINDENGEN's official datasheet for the FSU20B60.

FRD - For Power Factor Improvement High Frequency Rectification The FSU20B60 is a power module manufactured by NIEC (New Japan Radio Co., Ltd.). Here are its key specifications:

1. **Type**: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module  
2. **Voltage Rating**: 600V  
3. **Current Rating**: 20A  
4. **Configuration**: Dual IGBT with anti-parallel diodes (2 in 1 module)  
5. **Package**: 23-pin, isolated base  
6. **Applications**: Motor drives, inverters, and power conversion systems  

For detailed electrical characteristics, thermal data, or pin configurations, refer to the official NIEC datasheet.