PNP Low Saturation Transistor The **FSB660A** is a power switch module manufactured by **Fairchild Semiconductor** (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications:

### **Electrical Characteristics:**
- **Output Current (IO):** 6 A  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 600 V  
- **Base-Emitter Voltage (VBE):** 9 V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)):** 1.5 V (typical at IC = 6 A)  
- **DC Current Gain (hFE):** 1000 (min) at IC = 6 A  

### **Switching Characteristics:**
- **Turn-On Time (ton):** 1.5 µs (typical)  
- **Turn-Off Time (toff):** 1.5 µs (typical)  

### **Thermal Characteristics:**
- **Junction-to-Case Thermal Resistance (RthJC):** 1.25 °C/W  
- **Operating Junction Temperature (Tj):** -40°C to +150°C  

### **Package:**
- **Type:** TO-3P (TO-247 equivalent)  

### **Applications:**
- **Switching Power Supplies**  
- **Motor Control**  
- **Inverters**  

This module integrates a high-voltage bipolar transistor with optimized switching performance for power applications.  

(Source: Fairchild Semiconductor Datasheet)