IGBT-modules The part FS35R12YT3 is manufactured by **Infineon**. Here are its key specifications:

- **Type**: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module  
- **Voltage Rating**: 1200 V  
- **Current Rating**: 35 A  
- **Configuration**: Dual (2-in-1)  
- **Package**: Module  
- **Technology**: TrenchStop™  
- **Applications**: Motor drives, power conversion, industrial inverters  

Additional features may include low switching losses and high efficiency, but refer to the official datasheet for precise details.

IGBT-modules The part FS35R12YT3 is an IGBT module manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:

- **Voltage Rating (V_CES):** 1200V  
- **Current Rating (I_C at 25°C):** 35A  
- **Current Rating (I_C at 80°C):** 23A  
- **Maximum Power Dissipation (P_tot):** 160W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Switching Frequency:** Up to 30kHz  
- **Package Type:** EASY1B (isolated baseplate)  
- **Weight:** Approximately 38g  

These are the factual specifications for the FS35R12YT3 IGBT module.

IGBT-modules The part **FS35R12YT3** is manufactured by **EUPEC** (now part of Infineon Technologies). Here are its specifications:

- **Type**: IGBT Module
- **Voltage Rating**: 1200V
- **Current Rating**: 35A
- **Configuration**: Dual (2 IGBTs in a half-bridge configuration)
- **Package**: 62mm (standard module)
- **Technology**: Trench and Fieldstop (for low losses)
- **Applications**: Motor drives, inverters, and industrial power systems  

For detailed datasheets, refer to Infineon's official documentation.