High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET The **FS30KMJ-3** is a high-performance electronic component designed for power management and switching applications. As part of the fast-recovery diode family, it offers efficient rectification with low forward voltage drop and rapid reverse recovery time, making it suitable for high-frequency circuits.  

With a robust construction, the FS30KMJ-3 is capable of handling substantial current and voltage levels, ensuring reliability in demanding environments such as power supplies, inverters, and motor control systems. Its fast switching characteristics minimize energy losses, contributing to improved system efficiency.  

Key specifications include a maximum repetitive reverse voltage of 300V and an average forward current rating of 30A, making it well-suited for medium to high-power applications. The component is housed in a durable package that enhances thermal dissipation, ensuring stable operation under varying load conditions.  

Engineers and designers often select the FS30KMJ-3 for its balance of performance, durability, and cost-effectiveness. Whether used in industrial equipment or consumer electronics, this diode provides dependable performance while meeting stringent efficiency and thermal management requirements.  

For detailed technical parameters, consulting the manufacturer’s datasheet is recommended to ensure proper integration into circuit designs.

High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET The part FS30KMJ-3 is manufactured by MIT (Mitsubishi Electric).  

**Specifications:**  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module  
- **Voltage Rating:** 600V  
- **Current Rating:** 30A  
- **Configuration:** Dual (2 in 1 module)  
- **Package:** 23mm x 34mm module  
- **Features:** Low saturation voltage, high-speed switching  
- **Applications:** Motor drives, power converters, inverters  

For detailed datasheets or further technical information, refer to Mitsubishi Electric's official documentation.