High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET # Introduction to the FS30ASJ-2-T13 Electronic Component  

The **FS30ASJ-2-T13** is a high-performance electronic component designed for applications requiring efficient power management and reliable switching capabilities. This device is commonly used in power supply circuits, motor control systems, and other industrial or consumer electronics where precise voltage regulation and durability are essential.  

Featuring a compact form factor and robust construction, the FS30ASJ-2-T13 ensures stable operation under varying load conditions. Its advanced design minimizes energy loss, making it suitable for energy-efficient applications. The component is engineered to meet industry standards for thermal performance and electrical safety, ensuring long-term reliability in demanding environments.  

Key specifications of the FS30ASJ-2-T13 include a high current rating, low on-resistance, and fast switching speeds, which contribute to improved system efficiency. Its compatibility with automated assembly processes makes it a practical choice for high-volume manufacturing.  

Whether integrated into power converters, inverters, or battery management systems, the FS30ASJ-2-T13 delivers consistent performance, making it a preferred choice for engineers seeking a dependable solution for power control applications.

High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET The part FS30ASJ-2-T13 is manufactured by ON Semiconductor. It is a Schottky barrier rectifier diode with the following specifications:

- **Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):** 30V  
- **Current - Average Rectified (Io):** 3A  
- **Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:** 0.5V @ 3A  
- **Speed:** Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
- **Operating Temperature:** -65°C to +125°C  
- **Mounting Type:** Surface Mount  
- **Package / Case:** TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  

This information is based on the manufacturer's datasheet.