FS22SM-12AManufacturer: MIT MITSUBISHI Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE | |||
Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
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FS22SM-12A,FS22SM12A | MIT | 20 | In Stock |
Description and Introduction
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE The **FS22SM-12A** is a high-performance Schottky barrier rectifier diode designed for applications requiring efficient power conversion and low forward voltage drop. This electronic component is widely used in power supplies, inverters, and DC-DC converters, where minimizing energy loss and improving thermal performance are critical.  
With a **12A average forward current** rating and a **20V to 100V reverse voltage** range, the FS22SM-12A offers reliable operation in demanding environments. Its Schottky construction ensures fast switching speeds, reducing switching losses and enhancing efficiency in high-frequency circuits. The diode also features a low forward voltage drop (typically **0.55V at 6A**), which helps maintain system efficiency and reduces heat generation.   Encased in a **SMB (DO-214AA) surface-mount package**, the FS22SM-12A is suitable for compact PCB designs, making it ideal for modern electronics where space optimization is essential. Its robust construction ensures durability under high-temperature conditions, with an operating junction temperature range of **-65°C to +150°C**.   Engineers and designers often choose the FS22SM-12A for its balance of performance, efficiency, and reliability in power management applications. Whether used in industrial equipment, automotive systems, or consumer electronics, this diode delivers consistent performance in a compact, surface-mount form factor. |
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Specializes in hard-to-find components chips