FS10KM-12Manufacturer: MITSUBIS Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE | |||
Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
---|---|---|---|
FS10KM-12,FS10KM12 | MITSUBIS | 296 | In Stock |
Description and Introduction
Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE **Introduction to the FS10KM-12 Electronic Component**  
The FS10KM-12 is a high-performance electronic component designed for power management and switching applications. As part of the insulated-gate bipolar transistor (IGBT) family, it offers efficient power handling, low conduction losses, and fast switching capabilities, making it suitable for industrial and automotive systems.   With a voltage rating of 1200V and a current capacity of 10A, the FS10KM-12 is engineered to deliver reliable performance in demanding environments. Its robust construction ensures thermal stability and durability, even under high-stress conditions. The component features low saturation voltage, contributing to improved energy efficiency in power conversion circuits.   The FS10KM-12 is commonly used in inverters, motor drives, and power supplies, where precise control and high efficiency are critical. Its compact design and compatibility with standard mounting configurations facilitate easy integration into existing systems.   Engineers and designers favor this component for its balance of performance, reliability, and cost-effectiveness. Whether deployed in renewable energy systems or industrial automation, the FS10KM-12 provides a dependable solution for modern power electronics applications. |
|||
Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
FS10KM-12,FS10KM12 | MITSUBIS | 40 | In Stock |
Description and Introduction
Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE The **FS10KM-12** is a high-performance, fast-recovery diode module designed for demanding power electronics applications. This component integrates two diodes in a single package, offering a compact and efficient solution for rectification and power conversion circuits.  
With a voltage rating of **1200V** and a current capacity of **10A**, the FS10KM-12 is well-suited for industrial inverters, motor drives, and power supplies. Its fast recovery time minimizes switching losses, improving overall system efficiency. The module features a low forward voltage drop, ensuring reduced power dissipation and enhanced thermal performance.   Constructed with rugged packaging, the FS10KM-12 provides excellent thermal and electrical isolation, making it reliable in harsh operating conditions. Its screw-type terminals facilitate secure connections, while the insulated base allows for easy mounting on heat sinks.   Engineers favor this diode module for its balance of performance, durability, and cost-effectiveness. Whether used in renewable energy systems, welding equipment, or UPS units, the FS10KM-12 delivers consistent and dependable operation. Its robust design and efficient characteristics make it a preferred choice for applications requiring high-voltage rectification with minimal losses. |
|||
Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
FS10KM-12,FS10KM12 | MITS | 79 | In Stock |
Description and Introduction
Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE The part FS10KM-12 is manufactured by MITS. Here are the specifications from Ic-phoenix technical data files:  
- **Manufacturer**: MITS   This information is strictly based on the available data for the FS10KM-12 diode from MITS. |
|||
Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
FS10KM-12,FS10KM12 | MIT | 250 | In Stock |
Description and Introduction
Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE The part FS10KM-12 is manufactured by MIT (Microsemi Corporation). Below are the key specifications:  
- **Type**: Fast Recovery Diode   This diode is designed for high-efficiency rectification in power supplies and inverters.   (Source: Microsemi datasheet for FS10KM-12.) |
|||
Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
FS10KM-12,FS10KM12 | MITSUBISHI | 400 | In Stock |
Description and Introduction
Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE # Introduction to the FS10KM-12 Electronic Component  
The **FS10KM-12** is a high-performance electronic component designed for power semiconductor applications. As part of the insulated gate bipolar transistor (IGBT) family, it is engineered to deliver efficient switching and robust performance in demanding environments.   With a voltage rating of **1200V** and a current rating of **10A**, the FS10KM-12 is well-suited for medium-power applications such as motor drives, inverters, and power supplies. Its low saturation voltage and fast switching characteristics contribute to reduced power losses, enhancing overall system efficiency.   The component features a compact and durable package, ensuring reliable operation under high-temperature conditions. Its built-in diode provides additional protection, making it a practical choice for circuits requiring reverse current handling.   Designed for industrial and commercial applications, the FS10KM-12 balances performance and cost-effectiveness, making it a preferred choice among engineers seeking dependable power control solutions. Its compatibility with various driving circuits further simplifies integration into existing designs.   In summary, the FS10KM-12 is a versatile IGBT module that combines efficiency, durability, and ease of use, making it a valuable component in modern power electronics. |
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips